The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[20p-235-1~15] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Thu. Sep 20, 2018 1:30 PM - 5:30 PM 235 (3F_Lounge2)

Takashi Kunimoto(Tokushima Bunri Univ.), Haruki Fukada(Kanazawa Inst. of Tech.)

5:15 PM - 5:30 PM

[20p-235-15] Understanding Room Temperature Optical Activity of Erbium-Oxygen Complex in Silicon

Yasuo Shimizu1, Yuan Tu1, Ayman Abdelghafar2, Yudai Suzuki2, Keinan Gi2, Takashi Tanii2, Takahiro Shinada3, Enrico Prati4, Michele Celebrano5, Marco Finazzi5, Lavinia Ghirardini5, Koji Inoue1, Yasuyoshi Nagai1 (1.IMR Tohoku Univ., 2.Waseda Univ., 3.CIES Tohoku Univ., 4.IFN-CNR, 5.Politecnico di Milano)

Keywords:erbium, oxygen, atom probe

Siに添加されたErは通信波長帯1.5 µmに相当する不純物準位を形成するため,その発光特性に関する研究が盛んに行われてきた.我々はErと共に酸素を添加することで形成されるErOx複合体に着目し,原子レベルで元素の実空間分布を得る3次元アトムプローブ法を用いて,これら添加元素の分布を調べてきた.今回は室温フォトルミネッセンスによる発光特性評価と照らし合わせて,Er・酸素注入量と発光強度の関係性を報告する.