2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[20p-235-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:30 235 (3Fラウンジ2)

國本 崇(徳島文理大)、深田 晴己(金沢工大)

15:45 〜 16:00

[20p-235-9] 窒化ガリウムの微小領域にイオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測

佐藤 真一郎1、出来 真斗2、中村 徹3、西村 智朗3、大島 武1 (1.量研、2.名古屋大、3.法政大)

キーワード:希土類添加窒化ガリウム、共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡、フォトルミネッセンス

窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイドは、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示し、電流注入による発光制御ができることから、電気的制御に基づく量子センシング(局所磁場・温度の高感度計測)への応用が期待できる。今回、共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡を用いて、GaNの微小領域に注入したランタノイドの一種であるプラセオジム(Pr)からの室温での発光の観測を行ったので、その詳細について報告する。