[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-7] GaNの光電気化学(PEC)エッチング機構

〇堀切 文正¹、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹ (1.サイオクス)

キーワード：GaN、エッチング、光電気化学

GaN安定な材料であるが、光電気化学(PEC)エッチングにより、深さ10um以上の加工においても低ダメージかつ平坦なエッチングができる事を前回の報告で示した。今回、各種条件を変えてPECエッチングを行い、エッチング深さ、表面粗さ、および、電流電圧測定からエッチング機構について考察した。本報告では、これらの結果を踏まえて、デバイスプロセスに応用するための、PECエッチングの制御について報告する。