[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[20p-438-15] Generation & annihilation of plasma-induced defects ~ defect monitoring on c-Si substrate ~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST RCPV)

Keywords:plasma, silicon, defect

半導体デバイスにおいて、プラズマプロセス中の欠陥の発生と修復を理解し制御することは、デバイス性能の向上に向け重要である。筆者らは、これまでに、プラズマプロセス中で水素化アモルファスシリコン薄膜の光電流をその場で測定し、欠陥とキャリア輸送の評価を行ってきた。前回の報告では、(i) ダングリングボンド等の欠陥は、主としてH原子や準安定Ar原子等のラジカルによって形成されること、(ii) Ar⁺イオンの照射により残留欠陥が生じること、(iii) 欠陥修復の活性化エネルギーは欠陥の発生源により異なること等を明らかにしてきた。今回は、半導体デバイスで最も重要な結晶シリコンにおけるプラズマ誘起欠陥の発生と修復について予備的な実験を行ったのでその結果を報告する。