2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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特別シンポジウム

特別シンポジウム » GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:45 CE (センチュリーホール)

渡部 平司(阪大)、白石 賢二(名大)

13:30 〜 13:45

[20p-CE-1] はじめに

白石 賢二1 (1.名大未来研)

キーワード:GaN、半導体

近年GaNはパワーデバイス材料として注目を集めている。本シンポジウムでは、GaNをパワーデバイス材料として作製するための最も基本となるエピタキシャル成長技術とGaNをパワーデバイスとして用いるための基礎となるデバイス科学について概観する。