[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-3] MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開

〇松岡 隆志¹、窪谷 茂幸¹、谷川 智之¹、加納 聖也² (1.東北大学　金研、2.日亜化学工業㈱)

キーワード：窒化物半導体、窒素極性、有機金属気相成長