[20p-PB3-1~11] 9.3 Nanoelectronics

[20p-PB3-4] Fabrication of single domain Au nanogap electrode using electromigration method

Hiroya Suzuki¹, Hiroshi Suga¹, Toru Sumiya², Hisashi Shima², 〇Yasuhisa Naitoh² (1.CIT, 2.AIST)

Keywords:nanogap electrode, electromigration, nanogap

ナノギャップ電極は、ナノスケールの間隙幅で向かい合った電極構造であり、これまで、ナノギャップ電極自身の結晶性についてはそれほど議論されていなかった。我々のグループでは、ナノギャップ形成によく用いられる、エレクトロマイグレーション法の原理を見直しアレンジすることで、大きなグレイン構造を持った金ナノギャップ電極作製に成功した。今回我々は透過型電子顕微鏡（TEM）にて評価し、ナノギャップを挟んだ左右の電極がそれぞれギャップに対して、単一ドメインで接していることを確認した。本結果の詳細は、講演にて報告する。