[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21a-135-3] Si(001)/SiO₂界面欠陥の化学ポテンシャル依存性

〇河合 宏樹¹、中崎 靖¹、金村 貴永¹、石原 貴光¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：密度汎関数理論、シリコンデバイス、欠陥