[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-135-4] Fowler-Nordheim電流がMOS容量型センサに与える影響

〇祖父江 琢哉¹、藏本 駿介¹、萩原 一樹¹、田中 貴久¹、内田 建¹ (1.慶應大理工)

キーワード：水素センサ、MOSキャパシタ、パラジウム