[21a-135-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [21a-135-6] Electron Transport in One-dimensional Semiconductor with Intracollisional Field Effect

〇(M2)Shintaro Makihira¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:intracollisional field effect, electron transport, semiconductor

GaN などのワイドギャップ半導体は数MV/cm と高い絶縁破壊電界をもつ．印加電界数MV/cm 程度においては，散乱中にキャリアが電界によって加速される，散乱内電界効果が重要な役割を演じる．この効果を考慮可能な輸送方程式として，Barker-Ferry方程式（BF方程式）があり，エネルギー保存則に相当する項をローレンツ関数などに近似して，解かれてきた．本研究では，そのような近似を導入せず，1 次元系に関する定常状態のBF方程式を解くことを試みた．