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△ [21a-135-6] 散乱内電界効果を考慮した1次元半導体の電子輸送解析
キーワード：散乱内電界効果、電子輸送、半導体
GaN などのワイドギャップ半導体は数MV/cm と高い絶縁破壊電界をもつ．印加電界数MV/cm 程度においては，散乱中にキャリアが電界によって加速される，散乱内電界効果が重要な役割を演じる．この効果を考慮可能な輸送方程式として，Barker-Ferry方程式（BF方程式）があり，エネルギー保存則に相当する項をローレンツ関数などに近似して，解かれてきた．本研究では，そのような近似を導入せず，1 次元系に関する定常状態のBF方程式を解くことを試みた．