[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21a-135-7] 2次元材料における層間トンネル過程の非平衡グリーン関数解析

〇三島 嵩也¹、橋本 風渡¹、森 伸也¹ (1.阪大工)

キーワード：トンネルFET、２次元材料、層間トンネル過程

MoS2などの２次元材料をトンネルFETのチャネルに用いることにより、良好なデバイス特性が得られると期待されている。2D TFETにおいて、トンネル電流は電子の輸送方向に垂直に流れ、その状況は初等的な量子力学で扱われるトンネル効果と異なっている。そのため、2D TFETのデバイスシミュレーション向けて、非平衡グリーン関数法を用いて、電子の輸送方向とトンネル方向とが垂直な層間トンネル過程を解析した。