[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-135-8] 大規模並列計算によるモンテカルロデバイスシミュレーションの高速化

〇山下 大輝¹ (1.阪大院工)

キーワード：シミュレーション、並列

モンテカルロデバイスシミュレーションは、半導体デバイス中のキャリア挙動を高精度で計算できるが、計算時間が膨大であるという欠点がある。そこで、スーパーコンピュータを用いて、大規模な並列化をすることにより、極微細トランジスタの電気特性解析の高速化を試みた。本シミュレーションでは特に頻繁に計算を行う必要のあるポアソン方程式の高い並列効果を得る方法について考察した。