[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-2] Si pillar酸化過程におけるSi基板中の酸素原子効果の理論的研究

〇(M2)名倉 拓哉¹、長川 健太¹、洗平 昌晃^1,2,6、影島 博之^3,6、遠藤 哲郎^4,5,6、白石 賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院自然科学、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

キーワード：Si、第一原理計算

縦型BC-MOSFETを製造するにはSi pillarの酸化が必要であるが、均一な酸化が難しいことが大きな問題となっていた。しかし近年の研究で、Si基板のO原子濃度を高くした場合には、均一な酸化が可能であることが報告された。この均一に酸化される際にSi基板中のO原子がどのような振る舞いをしているのか、第一原理計算を用いて検討した。結果、Si基板のO原子濃度を高くした場合には、Si放出のしやすさの面方位依存性が小さくなることが分かった。