[21a-145-1~9] 13.3 Insulator technology

[21a-145-6] [Young Scientist Presentation Award Speech] Fabrication technique of ferroelectric Hf_xZr_1-xO₂ thin films using nano-ZrO₂ nucleation layer

〇Takashi Onaya^1,2,3, Toshihide Nabatame², Naomi Sawamoto¹, Ohi Akihiko², Naoki Ikeda², Takahiro Nagata², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, nano-ZrO2 nucleation layer, atomic layer deposition

前回の応物にて、我々は、原子層堆積法で作製した直方晶相を有するZrO₂ナノ結晶層を核生成層としてHZO膜を結晶成長させることで、直方晶相がメインのHZO膜を作製でき、その結果、強誘電性を向上できた事を報告した。本研究では、近年注目されている強誘電体FETへの応用に向けて、ZrO₂核生成層の挿入位置とHZO膜の強誘電性の関係について調べた結果を報告する。