[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-6] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノZrO₂核生成層を用いた強誘電体Hf_xZr_1-xO₂薄膜の作製技術

〇女屋 崇^1,2,3、生田目 俊秀²、澤本 直美¹、大井 暁彦²、池田 直樹²、長田 貴弘²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.学振特別研究員DC)

キーワード：強誘電体HfxZr1-xO2薄膜、ナノZrO2核生成層、原子層堆積法

前回の応物にて、我々は、原子層堆積法で作製した直方晶相を有するZrO₂ナノ結晶層を核生成層としてHZO膜を結晶成長させることで、直方晶相がメインのHZO膜を作製でき、その結果、強誘電性を向上できた事を報告した。本研究では、近年注目されている強誘電体FETへの応用に向けて、ZrO₂核生成層の挿入位置とHZO膜の強誘電性の関係について調べた結果を報告する。