[21a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-146-1] Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser

〇(M2)So Kusumoto¹, Daiki Tazuke¹, Kazuhisa Ikeda¹, Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:high-order deeply eched DBR, single mode laser, nitride semiconductor

代表的な単一モードレーザである1次結合DBRレーザは、400nm帯の場合、周期が約80nmとなり作製は困難である。我々は800nm帯で成功した10次結合ディープエッチDBRレーザが400nm帯に適用できることに注目した。周期は約0.8µmであり標準的なリソグラフィ技術で作製可能で、1度のRIEでリッジ構造とDBR構造が形成比較的簡便なプロセスでレーザが作製できる。本研究では、InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスを検討した。