[21a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-146-1] InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討

〇(M2)楠本 壮¹、田附 大貴¹、池田 和久¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：高次結合ディープエッチDBR、単一モードレーザ、窒化物半導体

代表的な単一モードレーザである1次結合DBRレーザは、400nm帯の場合、周期が約80nmとなり作製は困難である。我々は800nm帯で成功した10次結合ディープエッチDBRレーザが400nm帯に適用できることに注目した。周期は約0.8µmであり標準的なリソグラフィ技術で作製可能で、1度のRIEでリッジ構造とDBR構造が形成比較的簡便なプロセスでレーザが作製できる。本研究では、InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスを検討した。