[21a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-146-3] Fabrication of Large Area Polarity-Inverted GaN by Surface-Activated Wafer Bonding

〇(M2)Takuya Onodera¹, Masahiro Uemukai¹, Kazuya Takahashi², Motoaki Iwaya², Isamu Akasaki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake³, Maki Kushimoto⁴, Heajeong Cheong⁵, Yoshio Honda⁵, Hiroshi Amano⁵, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.Fac. Sci. & Tech., Meijo Univ., 3.RIS, Mie Univ., 4.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 5.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Surface Activated Bonding, GaN

ウエハ接合技術を用いることで格子定数や結晶方位の異なる層同士の新規な積層構造の実現が可能となる。窒化物半導体はc軸方向に大きな分極電界を有するため、窒化物半導体同士のウエハ接合により極性を反転させた積層構造とすることで、高効率な波長変換素子の作製が可能となる。本研究では、接合可能な面積に大きな影響を及ぼす試料のラフネスと反りを低減させた試料における大面積の接合を試みた。