[21a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-146-3] 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製

〇(M2)小野寺 卓也¹、上向井 正裕¹、髙橋 一矢²、岩谷 素顕²、赤﨑 勇²、林 侑介³、三宅 秀人³、久志本 真希⁴、鄭 惠貞⁵、本田 善央⁵、天野 浩⁵、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大理工、3.三重大地域イノベ、4.名大院工、5.名大未来研)

キーワード：表面活性化接合、GaN

ウエハ接合技術を用いることで格子定数や結晶方位の異なる層同士の新規な積層構造の実現が可能となる。窒化物半導体はc軸方向に大きな分極電界を有するため、窒化物半導体同士のウエハ接合により極性を反転させた積層構造とすることで、高効率な波長変換素子の作製が可能となる。本研究では、接合可能な面積に大きな影響を及ぼす試料のラフネスと反りを低減させた試料における大面積の接合を試みた。