The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 21, 2018 9:00 AM - 12:15 PM 146 (Reception Hall)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Takayuki Nakano(Shizuoka Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[21a-146-7] Improvement in emission efficiency of UVC-LEDs by strain relaxation

〇Kentaro Nagamatsu1, Kenjiro Uesugi1, Hideto Miyake1, Harumasa Yoshida1 (1.Mie University)

Keywords:Nitride semiconductor, Deep ultra violet LED

AlNとAlGaN界面に加わるひずみ緩和を行い、AlGaN成長に伴い新たに発生する転位を低減したLEDを作製した。結果としてLEDのEL測定において発光強度が7.5倍増加した。