[21a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-146-7] 歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善

〇永松 謙太郎¹、上杉 謙次郎¹、三宅 秀人¹、吉田 治正¹ (1.三重大学)

キーワード：窒化物半導体、深紫外LED

AlNとAlGaN界面に加わるひずみ緩和を行い、AlGaN成長に伴い新たに発生する転位を低減したLEDを作製した。結果としてLEDのEL測定において発光強度が7.5倍増加した。