[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-3] 室温ソフトプラズマによる SiC_xN_yO_z薄膜形成法の開発

〇渡部 亨¹、マイホン ミン¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：SiCNO、組成制御、膜厚制御

室温でアルゴンプラズマ中にモノメチルシラン(SiH₃CH_3, MMS)ガスと窒素（N₂）ガスを供給することにより、非晶質SiC_xN_yO_z膜が形成可能であることが報告されたことから、それの膜厚と組成の制御について調査したので報告する。