[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-8] 流体力学からみたミニマルCVD装置の特徴II

〇石田 夕起^1,2、三浦 典子²、池田 伸一^1,2、伊藤 孝宏³、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

キーワード：ミニマル、CVD、エピタキシャル成長

低レイノルズ数領域でのCVDプロセスをシミュレーションにより研究した。低レイノルズ数領域では、系への擾乱によって発生する渦が安定して存在できるが、この渦が内部構造の非対称性によって生じる圧力分布によって動くことで、基板上のガス流に偏りが生じることを明らかにした。