[21a-311-1~14] 17.2 グラフェン

△ [21a-311-10] 3次元曲面グラフェン上ディラック電子におけるトポロジー効果

〇岡本 拓也¹、伊藤 良一²、藤田 武志³、河野 行雄¹ (1.東工大未来研、2.筑波大数理物質系、3.高知工大環境理工学群)

キーワード：グラフェン、トポロジー、磁気抵抗効果

トポロジーという数学的な概念が新たな物質観を確立し、新機能/物性実現の舞台として注目されている。本研究では空間的トポロジーに着目し、グラフェンのディラック電子を曲面上に束縛したまま多孔質構造によって3次元化した3次元曲面グラフェンについて研究した。この材料の孔径(トポロジー)を制御することで伝導電子の散乱プロセスの可変性付加を実現すると共に、その起源が3次元トポロジーに起因していると明らかにした。