[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-331-10] AlGaN再成長を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN縦型HEMTの作製

〇(M2)金谷 彗杜¹、山本 高勇¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、縦型ＨＥＭＴ、ノーマリオフ

実効移動度が小さくヒステリシスが大きいなどの問題を有するGaN系縦型MIS-FETに代わるデバイスとしてAlGaN/GaN縦型HEMTの作製を検討した。RIE-GaN表面にAlGaNを再成長することにより作製したAlGaN/GaN構造の評価に基づき、デバイスの作製条件の最適化を図った。その結果、0.15 A/mm以上のドレイン電流を有するノーマリオフ動作のデバイスを実現することができた。