[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-11] 縦型トレンチGaN-MOSFETのヒステリシス評価

〇(M1)村田 翔一¹、笹田 将貴¹、ジョエル アスバル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：窒化ガリウム、MOSFET、イオン注入

本研究では、n⁺ソース領域の形成にSiイオン注入を用いた素子(デバイスA)とn⁺ソース領域の形成にエピタキシャル成長を用いた素子(デバイスB)の二種類を試作し、しきい値電圧のヒステリシス特性について検討したので報告する。