[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-331-5] The plane orientation dependence of mobility in lateral MIS FET fabricated on GaN substrate.

〇Yuto Ando¹, Tohru Nakamura², Manato Deki², Atsushi Tanaka^2,3, Shigeyoshi Usami¹, Ousmane 1 Barry¹, Maki Kushimoto¹, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. Imass, 3.NIMS, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:GaN, m-plane, MIS FET

GaN系パワーデバイスの性能向上の為，MIS型FETのチャネルにおける移動度の面方位依存性を調査することは必須である．本報告ではm面GaN基板上に横型MISFETを作製し，c面上との比較を目的とした．線形領域における伝達特性から閾値電圧及び電界効果移動度を算出したところ，両者ともにm面とc面では明らかな差が見られた．