[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-331-4] A study of gate metal structure for InAlN/AlN/GaN HEMTs (II)

〇Yoshimi Yamashita¹, Yoshida Tomohiro², Makabe Isao², Watanabe Issei¹, Inoue Kazutaka², Kasamatsu Akifumi¹ (1.NICT, 2.SEI)

Keywords:GaN, HEMT, InAlN

GaN HEMTは高周波パワーデバイスとして期待されており、我々は薄膜のInAlNバリア層を用いたInAlN/AlN/GaN HEMT構造を検討してきた 。しかしショットキーゲートであるMES型では大きなゲートリーク電流(I_g)の問題がある。今回、Si基板上に作製したMES-HEMTのI_g低減を目的にゲートメタル構成と熱処理プロセスを検討したので報告する。