[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-331-5] GaN基板上横型MIS FETにおける移動度の面方位依存性

〇安藤 悠人¹、中村 徹²、出来 真斗²、田中 敦之^2,3、宇佐美 茂佳¹、Ousmane 1 Barry¹、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大Imass、3.NIMS、4.名大ARC、5.名大VBL)

キーワード：GaN、m面、MIS FET

GaN系パワーデバイスの性能向上の為，MIS型FETのチャネルにおける移動度の面方位依存性を調査することは必須である．本報告ではm面GaN基板上に横型MISFETを作製し，c面上との比較を目的とした．線形領域における伝達特性から閾値電圧及び電界効果移動度を算出したところ，両者ともにm面とc面では明らかな差が見られた．