[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-331-7] Gate controllability in Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS HEMT grown on GaN Substrates

〇Yuji Ando¹, Syota Kaneki¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, HEMT

GaN系HEMTは更なる高周波化・高効率化が期待されており、大振幅動作時の効率・線形性の観点から、絶縁ゲート構造の検討が行われている。しかし、MOS界面特性には不明な点が多く、動作不安定性や電流制御性の劣化などが課題となっている。これまでに、SiC基板上のMOS HEMTに大気PMA処理を施すことで動作安定性、電流線形性が向上することが報告されている。今回は低転位密度のGaN基板上の高品質なエピにMOS構造を形成し、電気的特性を評価した。