The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Fri. Sep 21, 2018 9:00 AM - 12:15 PM 331 (International Conference Room)

Tetsuo Narita(Toyota Central R&D Labs., Inc.)

10:45 AM - 11:00 AM

[21a-331-7] Gate controllability in Al2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT grown on GaN Substrates

Yuji Ando1, Syota Kaneki1, Tamotsu Hashizume1 (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, HEMT

GaN系HEMTは更なる高周波化・高効率化が期待されており、大振幅動作時の効率・線形性の観点から、絶縁ゲート構造の検討が行われている。しかし、MOS界面特性には不明な点が多く、動作不安定性や電流制御性の劣化などが課題となっている。これまでに、SiC基板上のMOS HEMTに大気PMA処理を施すことで動作安定性、電流線形性が向上することが報告されている。今回は低転位密度のGaN基板上の高品質なエピにMOS構造を形成し、電気的特性を評価した。