[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-331-7] GaN基板上に作製したAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS HEMT のゲート制御性

〇安藤 祐次¹、金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ

GaN系HEMTは更なる高周波化・高効率化が期待されており、大振幅動作時の効率・線形性の観点から、絶縁ゲート構造の検討が行われている。しかし、MOS界面特性には不明な点が多く、動作不安定性や電流制御性の劣化などが課題となっている。これまでに、SiC基板上のMOS HEMTに大気PMA処理を施すことで動作安定性、電流線形性が向上することが報告されている。今回は低転位密度のGaN基板上の高品質なエピにMOS構造を形成し、電気的特性を評価した。