[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [21a-CE-4] ZrO2 ゲートスタックによる Planar-type InGaAs TFET の Sub-60mV/dec 特性の実現

〇(DC)安 大煥¹、尹 尚希¹、加藤 公彦¹、福井 太一郎¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：InGaAs、トンネルFET、ZrO2