[21a-CE-1~10] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[21a-CE-6] Transient characterization with pulse measurement on Super Steep SS PN-Body Tied SOI FET

〇(M1)Hiroki Endo¹, Jiro Ida¹, Takayuki Mori¹, Shunichi Nakano¹, Wataru Yabuki¹ (1.Kanazawa Inst of Tech.)

Keywords:SOI FET, Transient characterization, New structure

近年では、室温にて60mV/decを下回る新構造デバイスの研究が行われており、我々は新構造PN-Body Tied SOI FETを提案し急峻なSSを報告している。新構造デバイスの急峻なSSは、MOSのチャネル層にあたるFloating Body部分にキャリアを注入しSOIのFloating Body効果を使うため、キャリア蓄積現象が関与する。よって、過渡応答特性に注目する必要がある。本稿ではPNBTの過渡応答特性についてパルス測定による実測を行い、結果を初めて報告する。