[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-CE-6] 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETのパルス測定による過渡特性

〇(M1)遠藤 大貴¹、井田 次郎¹、森 貴之¹、中野 駿一¹、矢吹 亘¹ (1.金沢工大工)

キーワード：SOI FET、過渡応答特性、新構造

近年では、室温にて60mV/decを下回る新構造デバイスの研究が行われており、我々は新構造PN-Body Tied SOI FETを提案し急峻なSSを報告している。新構造デバイスの急峻なSSは、MOSのチャネル層にあたるFloating Body部分にキャリアを注入しSOIのFloating Body効果を使うため、キャリア蓄積現象が関与する。よって、過渡応答特性に注目する必要がある。本稿ではPNBTの過渡応答特性についてパルス測定による実測を行い、結果を初めて報告する。