The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[21a-PA3-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Fri. Sep 21, 2018 9:30 AM - 11:30 AM PA (Event Hall)

9:30 AM - 11:30 AM

[21a-PA3-12] Fabrication of molybdenum trioxide and core-shell quantum dot thin film by coating method and its application to light emitting diode

〇(M1)Yu Kamada1, Naoki Ohtani1 (1.Doushisha Univ.)

Keywords:quantum dots

コロイド状量子ドット(QDs)薄膜を2.56eVの高い三重項エネルギー両極性電荷輸送特性を持ち、複合正孔/励起子ブロック層を形成するCBPを用いて相分離による製膜を行う。また高い仕事関数を持つワイドバンドギャップな物質であり、正輸送層やバッファ層として注目されている三酸化モリブデン(MoO3)を正孔輸送層として作製する。本研究では安価に作製できるスピンコーティング法によってCdSe/ZnS量子ドット、MoO3薄膜を作製し評価する。