2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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[21a-PA3-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年9月21日(金) 09:30 〜 11:30 PA (イベントホール)

09:30 〜 11:30

[21a-PA3-12] 塗布法による三酸化モリブデンとコアシェル量子ドット薄膜の作製と
発光ダイオードへの応用

〇(M1)鎌田 侑1、大谷 直毅1 (1.同大理工)

キーワード:量子ドット

コロイド状量子ドット(QDs)薄膜を2.56eVの高い三重項エネルギー両極性電荷輸送特性を持ち、複合正孔/励起子ブロック層を形成するCBPを用いて相分離による製膜を行う。また高い仕事関数を持つワイドバンドギャップな物質であり、正輸送層やバッファ層として注目されている三酸化モリブデン(MoO3)を正孔輸送層として作製する。本研究では安価に作製できるスピンコーティング法によってCdSe/ZnS量子ドット、MoO3薄膜を作製し評価する。