[21a-PA3-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

[21a-PA3-4] α-Zn₂SiO₄薄膜の作製および評価

〇松崎 健太郎¹、斎藤 光¹、波多 聰¹、渡邊 厚介¹、稲田 幹¹ (1.九大総理工)

キーワード：ケイ酸二亜鉛、カソードルミネッセンス、電子顕微鏡

Si₃N₄基板上にZnOを成膜し、アニーリング処理により得たZn₂SiO₄膜は平坦性が優れた発光膜となることが報告されている。また、Zn₂SiO₄は相によって発光波長が異なることもこれまでに報告されている。そこで本研究ではZn₂SiO₄膜の発光特性を制御することを目的とし、形成される膜の相および組織の熱処理条件依存性を調査したところSiO₂/ZnO/Si₃N₄多層薄膜を900℃以上で熱処理することにより、α相が主成分の単色発光薄膜が容易に得られることを見出した。