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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

2018年9月21日(金) 13:15 〜 17:00 145 (レセプションホール)

山本圭介(九大)、堀田育志(兵庫県立大)

16:15 〜 16:30

[21p-145-12] Siを導入したHfO₂のMIMキャパシタの容量特性

〇(B)岩塚春樹¹、星井拓也¹、宗田伊理也¹、若林整¹、筒井一生¹、角嶋邦之¹ (1.東工大工)

キーワード：半導体、HfO2、容量特性