[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[21p-145-4] 電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

〇秋山 健太郎¹、井芹 健人¹、温 偉辰¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大・大学院総合理工学府・研究院、2.九大・GIC)

キーワード：半導体