[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-17] Siドーピングによるエピタキシャルc-BN薄膜の伝導性制御

〇平間 一行¹、谷保 芳孝¹、山本 秀樹¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：立方晶窒化ホウ素、Siドーピング、イオンビームアシストMBE