2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月21日(金) 13:30 〜 18:00 146 (レセプションホール)

荒木 努(立命館大)、岡田 成仁(山口大)

13:45 〜 14:00

[21p-146-2] HVPE法によるC面成長時のピット消滅メカニズム

磯 憲司1、池田 宏隆1、郷田 理貴1、望月 多恵1、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル)

キーワード:HVPE、ピット、多光子励起PL

今回の研究では、我々はVピットが発生/消滅したC面結晶(厚さ約1mm)のA断面多光子PL(3PPL)測定を行った。さらに、ピットを構成する半極性面、および、C面GaN基板の平面成長を行い、測定されたそれぞれの面の成長速度比からピットの消滅が実際に可能かを考察した。