[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-2] HVPE法によるC面成長時のピット消滅メカニズム

〇磯 憲司¹、池田 宏隆¹、郷田 理貴¹、望月 多恵¹、泉沢 悟¹ (1.三菱ケミカル)

キーワード：HVPE、ピット、多光子励起PL

今回の研究では、我々はVピットが発生／消滅したC面結晶（厚さ約１mm）のA断面多光子PL（3PPL）測定を行った。さらに、ピットを構成する半極性面、および、C面GaN基板の平面成長を行い、測定されたそれぞれの面の成長速度比からピットの消滅が実際に可能かを考察した。