The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.3 Nanoelectronics

[21p-221A-1~6] 9.3 Nanoelectronics

Fri. Sep 21, 2018 1:00 PM - 2:30 PM 221A (221-1)

Katsuhiko Nishiguchi(NTT)

1:00 PM - 1:15 PM

[21p-221A-1] Fabrication Process of Single-Electron Device Using Percolation Connection of Gold Nanoparticles in Resist Groove

Kazuhiko Matsumoto1, 〇Masataka Moriya1, Makoto Moribayashi1, Tomoki Yagai1, Hiroshi Shimada1, Fumihiko Hirose2, Ayumi Hirano-Iwata3, Yoshinao Mizugaki1 (1.Univ. of Electro-Comm., 2.Yamagata Univ., 3.Tohoku Univ.)

Keywords:Nanoscaled device

レジスト溝内に金ナノ粒子 (Au NP) をほぼ一定間隔で配置する方法と、数百nmのギャップで隔てられた電極間でのAu NPパーコレーション接続を作製する方法、およびAu NPの2段階散布を組み合わせた単一電子素子の作製プロセスを提案する。