2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[21p-224A-1~13] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

2018年9月21日(金) 13:15 〜 16:45 224A (224-1)

川田 善正(静岡大)、藤井 稔(神戸大)

15:30 〜 15:45

[21p-224A-9] 電気化学反応により作製したAgナノ粒子の表面プラズモン共鳴による
逆光電子放出強度の増強

薄井 亮太1、柴田 幸輝2、杉田 朋子1、小林 範久3,4、吉田 弘幸3,4 (1.千葉大院融合、2.千葉大工、3.千葉大院工、4.分子キラリティー)

キーワード:プラズモニクス、逆光電子分光、ナノ粒子

半導体の空準位は、電子伝導や化学反応性などに関わる重要な情報である。逆光電子分光法(IPES)は空準位を調べる最も有力な実験手法であるが、信号強度が非常に低いという課題が残されている。最近、我々はIPESに表面プラズモン共鳴(SPR)を適応させ、5倍のIPES信号増強に成功した。本研究では電解析出法により作製した均一なAgナノ粒子を用いることで、信号増強メカニズムの解明に取り組んだ。