[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-10] 出力電力密度3.8 W/mm @1 GHzを有する2DHGダイヤモンドMOSFETs

〇(B)久樂 顕¹、今西 祥一朗¹、大井 信敬¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、蔭浦 泰資¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、FET

ダイヤモンドは優れた物性値から高周波・高出力デバイスとして期待されている。従来の高周波ダイヤモンドFETsの出力電力密度はGaAs FETsやLDMOSを上回るが、20 V程度で評価されていた。本研究では、ALD-Al2O3を利用したダイヤモンドMOSFETsを高電圧(30 V ≦ |VDS| ≦ 80 V)で動作させ、高周波ダイヤモンドFETsの中で最高の出力電力密度3.8 W/mmを達成した。