16:15 〜 16:30
▲ [21p-232-12] Hydrogen Terminated Diamond Interface Properties of Overlapping Gate MOSFET S imolation Using Non-charge Surface Model with Al2O3
キーワード:Diamond, MOSFET, Overlapping Gate
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
16:15 〜 16:30
キーワード:Diamond, MOSFET, Overlapping Gate