[21p-232-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

△ [21p-232-16] Electron emission property of diamond diodes fabricated on p-type substrates with different boron concentration

〇Tatsuya Hombu^1,2, Toshiharu Makino², Hiromitsu Kato², Masahiko Ogura², Hideyo Okushi², Satoshi Yamasaki², Daisuke Takeuchi^1,2, Ichiro Shoji¹ (1.Chuo Univ., 2.AIST Inst.)

Keywords:diamond, pin diode, Electron emission

過去の実験の中で、高濃度p型IIb{111}基板上に作製したp-i-nダイオードより、低濃度基板上のp-i-nダイオードの方が、電子放出効率が高い傾向が見られた。そこで本研究で、ホウ素濃度の異なるp型基板を用いたダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の詳細な比較を行った結果、低濃度p型基板の場合は高濃度p+型基板の場合より電子放出効率が1~2桁程度高い傾向が明らかに得られた。この明らかな傾向は、i層の結晶品質によるものと考えている。