[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-16] ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の比較

〇本部 達也^1,2、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、小倉 政彦²、大串 秀世²、山崎 聡²、竹内 大輔^1,2、庄司 一郎¹ (1.中央大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、pinダイオード、電子放出

過去の実験の中で、高濃度p型IIb{111}基板上に作製したp-i-nダイオードより、低濃度基板上のp-i-nダイオードの方が、電子放出効率が高い傾向が見られた。そこで本研究で、ホウ素濃度の異なるp型基板を用いたダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の詳細な比較を行った結果、低濃度p型基板の場合は高濃度p+型基板の場合より電子放出効率が1~2桁程度高い傾向が明らかに得られた。この明らかな傾向は、i層の結晶品質によるものと考えている。